ZXMP6A13FQTA

Diodes Incorporated推出的ZXMP6A13FQTA是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了优化的沟道设计与栅极结构，能够在宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）内保持稳定的电气性能，尤其适合在空间受限且对热管理有要求的应用环境中部署。

在电气特性方面，该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)与900mA的连续漏极电流(Id)能力，为低至中功率切换提供了坚实的电压与电流余量。其导通电阻表现突出，在10V栅源电压(Vgs)及900mA漏极电流条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为400毫欧，这直接转化为更低的导通损耗与更优的能效。此外，器件拥有低至2.9nC的栅极电荷(Qg)（在4.5V Vgs下）以及219pF的输入电容(Ciss)（在30V Vds下），这些特性共同确保了快速的开关切换速度，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅极驱动电压范围兼容性强，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压可承受±20V的最大值，增强了系统的鲁棒性。

ZXMP6A13FQTA的接口形式为标准的表面贴装型(SMT)三引脚SOT-23，便于自动化生产。其关键参数如阈值电压Vgs(th)最大为3V（在250A漏极电流下），以及625mW（环境温度Ta下）的最大功率耗散，共同定义了其可靠工作的边界条件。对于需要稳定供应链与技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与获得完整技术资料的有效途径。

基于其性能组合，该器件非常适合应用于多种场景。在电源管理领域，常用于负载开关、电源路径控制以及DC-DC转换器中的高端开关。在便携式电子设备、电池供电系统及物联网(IoT)节点中，它能有效管理功率分配，延长电池寿命。此外，在电机驱动、LED照明控制及各类工业自动化模块的辅助电源电路中，也能发挥可靠的开关与保护作用。

• 型号:ZXMP6A13FQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:219 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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