ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现优异的开关性能与功率处理能力。其P沟道特性使其在需要高侧开关或简化栅极驱动电路的应用中具有天然优势，特别是在由正电源轨直接驱动的场景下，能够有效减少外围元件数量，优化系统成本与PCB布局空间。

该芯片的突出特性在于其低导通电阻与高电压能力的平衡。在10V栅源电压驱动下，其导通电阻典型值低至390毫欧（在900mA电流条件下），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其高达60V的漏源击穿电压确保了在工业控制、电源转换等存在电压尖峰的复杂环境中具备可靠的鲁棒性。其栅极电荷Qg最大值仅为5.9nC，结合较低的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，非常适合高频开关应用。

在电气参数与接口方面，DIODES代理提供的技术资料显示，ZXMP6A13GTA的栅极阈值电压典型值较低，确保了在标准逻辑电平（如3.3V或5V）下的良好导通能力，增强了与微控制器等数字器件的直接兼容性。其连续漏极电流在环境温度下可达1.7A，最大功耗为2W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛温度环境下的稳定运行。器件采用SOT-223表面贴装封装，在提供良好散热性能的同时，保持了紧凑的占板面积，便于自动化生产。

基于其综合性能，ZXMP6A13GTA非常适合应用于多种功率管理场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的负载开关与电源路径管理、电池供电设备的反向极性保护与充电控制、电机驱动电路中的预驱动级，以及各类工业自动化设备中的低侧或高侧开关。其高可靠性、高效率和小型化封装特点，使其成为空间受限且对能效有较高要求的现代电子系统的理想选择。

• 型号:ZXMP6A13GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:390 毫欧 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:219 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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