ZXMP6A16DN8TA

ZXMP6A16DN8TA是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级双P沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，集成了两个独立的增强型P沟道MOSFET，其核心设计旨在为汽车电子及工业应用提供高效、可靠的功率开关解决方案。其架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在紧凑的物理尺寸下实现较低的功率损耗。

该器件具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和高达3.9A的连续漏极电流(Id)能力，为负载开关和电源路径管理提供了宽裕的电压与电流余量。其关键电气特性表现突出，在10V栅源电压(Vgs)驱动下，导通电阻(RDS(on))典型值低至85毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，结合仅12.1nC的低栅极电荷(Qg)，意味着该MOSFET易于驱动，能够实现快速开关并降低栅极驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装8-SOIC封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其输入电容(Ciss)在30V Vds下最大为1021pF，与低Qg特性共同决定了其良好的动态响应性能。该器件结温(TJ)工作范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车电子严苛的环境可靠性要求，最大功耗为2.15W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供货服务。

基于其汽车级认证、双通道集成以及优异的开关性能，ZXMP6A16DN8TA非常适合应用于需要高可靠性功率管理的场景。典型应用包括汽车车身控制模块中的负载驱动（如座椅调节、车窗升降、灯光控制）、电池管理系统中的电源隔离开关，以及工业自动化设备中的电机预驱动和电源分配单元。其双P沟道设计尤其适合用于构建半桥或作为高边开关，简化了电路设计。

• 型号:ZXMP6A16DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1021pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.15W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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