ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件采用紧凑的SOT-26封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其栅极结构经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，这对于由低压逻辑电路直接驱动的应用至关重要，有助于简化系统设计并降低整体功耗。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为60V，确保了在多种电源电压环境下的可靠性与安全性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.3A，具备处理中等功率负载的能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和2.3A Id条件下典型值仅为125毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，提升了系统的能源效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且驱动电压范围宽（4.5V至10V），使其与3.3V或5V的微控制器及逻辑芯片能够无缝兼容。

在动态特性方面，ZXMP6A17E6TA的栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为17.7nC，输入电容（Ciss）在30V Vds下最大值为637pF，这些参数共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合1.1W的额定功耗，保证了器件在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号产品。

凭借其60V的耐压能力、2.3A的电流处理水平以及优异的开关性能，该器件非常适合用于负载开关、电源管理电路、电机驱动控制以及DC-DC转换器中的高端开关。其SOT-26表面贴装封装节省了宝贵的PCB空间，使其成为空间受限的便携式设备、消费类电子产品、工业控制模块及汽车辅助系统等应用的理想选择，为设计工程师提供了一个高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案。

• 型号:ZXMP6A17E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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