ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-252-3（DPAK）表面贴装封装中，适用于高密度PCB设计。该器件构建于稳健的垂直架构之上，其核心优势在于在P沟道器件中实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，从而在开关应用中有效降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为60V，在25°C环境温度下可支持高达6.8A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和3.5A测试条件下典型值仅为55毫欧，这一低导通电阻特性确保了在导通状态下具有较低的压降和功率耗散。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而栅极驱动电压范围宽至±20V，配合最大44nC的栅极总电荷（Qg @ 10V），使得器件能够被快速、可靠地驱动，特别适合由低压微控制器或逻辑电路直接控制的场景。其输入电容（Ciss）在30V Vds下最大为1580pF，这有助于简化栅极驱动电路的设计。

在接口与热性能方面，ZXMP6A18KTC采用标准的三引脚TO-252-3封装，便于自动化贴装和焊接。器件最大功率耗散能力为2.15W（Ta），其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性和长期稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品货源和技术支持。

基于其60V的耐压能力、6.8A的电流处理能力以及优异的开关特性，ZXMP6A18KTC非常适用于需要高效率电源管理的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源反向保护、电机驱动中的H桥电路、电池供电设备的功率分配，以及各类消费电子、工业控制和汽车辅助系统中的功率开关功能。其P沟道特性常被用于高侧开关配置，简化了驱动电路，是空间和效率敏感型设计的理想选择。

• 型号:ZXMP6A18KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1580 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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