ZXMP7A17GQTA

ZXMP7A17GQTA是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在有限的PCB空间内实现了优异的功率处理能力与热性能，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）与高电压能力的平衡。在10V栅极驱动电压（Vgs）和2.1A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为160毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其漏源击穿电压（Vdss）高达70V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，结合最大±20V的栅源电压范围，使其既能兼容低电压逻辑电平驱动，又具备良好的抗栅极过压能力。

在动态特性方面，ZXMP7A17GQTA表现出色。其栅极总电荷（Qg）在10V Vgs条件下最大值仅为18nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别适用于需要高频开关的应用场景。此外，在40V漏源电压下，其输入电容（Ciss）最大值为635pF，这有助于简化栅极驱动电路的设计。器件的连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达2.6A，最大功耗为2W，结合SOT-223封装良好的散热特性，使其能够胜任中小功率的开关与线性调节任务。

凭借70V的耐压、2.6A的电流能力、优异的开关特性以及紧凑的封装，这款器件非常适合用于电源管理电路，例如DC-DC转换器中的负载开关、电池反接保护、电机驱动中的H桥下管，以及低侧开关等。它也常见于消费电子、工业控制模块和汽车辅助系统中，作为高效的功率开关元件。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品，确保获得原厂正品与全面的技术支持。

• 型号:ZXMP7A17GQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZXMP7A17GQTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。