ZXMP7A17KTC

Diodes Incorporated推出的ZXMP7A17KTC是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性。该器件采用成熟的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的占板面积内提供了优异的散热性能，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的显著特性在于其优化的导通电阻与栅极电荷性能。在10V栅源电压驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至160毫欧（在2.1A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为18nC @ 10V，这一特性对于开关电源、电机驱动等高频应用至关重要，因为它能显著降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，允许使用更小、更经济的驱动IC。

在电气参数方面，ZXMP7A17KTC具备70V的漏源击穿电压（Vdss）和3.8A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且驱动电压范围覆盖4.5V至10V，使其能够兼容3.3V、5V乃至12V的逻辑电平，与微控制器或数字信号处理器接口变得非常简便。高达±20V的栅源电压（Vgs）最大值也增强了其抗栅极噪声干扰的鲁棒性。此外，其输入电容（Ciss）在40V下最大为635pF，结合低Qg特性，共同保证了快速的开关瞬态响应。

凭借其平衡的性能组合，ZXMP7A17KTC非常适合用于需要高效功率切换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电机驱动电路中的H桥或半桥下管，以及电池供电设备中的反向极性保护和负载开关。对于需要可靠供应链支持的工程师，通过正规的DIODES代理商获取此器件，是确保产品品质与供货稳定的关键一步。

• 型号:ZXMP7A17KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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