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Diodes推出超小包装高性能MOSFET

Diodes公司推出了一系列Diodes一级代理超小列DFN高性能1006-3包装MOSFET产品线。包装仅占0.6平方毫米PCB面积,相似SOT723封装设备节省了一半以上的占板空间,其结点是环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W,在连续条件下,功耗高达1.3W,而同类产品的功耗是多出一倍。

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因此,该MOSFET运行温度较低,可节省空间,离板高度仅为0.4mm,特别适用于超薄便携式消费电子产品,包括平板电脑和智能手机。Diodes 率先提供额定电压20V、30V及60VN沟和P沟设备可用于各种高可靠性负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。

例如,额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET导通电阻仅为150mΩ,比同类解决方案低一半以上,有助于大大降低传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET静电放电额定值高 (ESD Rating),分别为2kV和3kV。

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