2N7002AQ-13

Diodes Incorporated推出的2N7002AQ-13是一款采用N沟道增强型平面MOSFET架构的功率器件。其核心基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，实现了在紧凑的SOT-23封装内提供可靠的开关与控制能力。该器件专为满足严苛的汽车电子环境而设计，通过了AEC-Q101认证，确保了其在宽温度范围和高可靠性要求下的稳定表现。

这款MOSFET具备60V的漏源击穿电压和180mA的连续漏极电流能力，为低功率开关应用提供了充足的电压裕量和电流处理能力。其关键优势在于较低的栅极驱动需求，仅需5V的Vgs电压即可实现完全导通，这使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平微控制器直接兼容，无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计。在10V Vgs、115mA Id条件下，其导通电阻典型值仅为5欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

在电气参数方面，2V的最大栅极阈值电压确保了器件在噪声环境下的稳定关断，而±20V的最大栅源电压则提供了较强的抗栅极过压能力。其输入电容典型值较低，这有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于需要一定频率切换的应用。器件的功率耗散能力为370mW，采用表面贴装的SOT-23封装，非常适合高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

凭借其小尺寸、低驱动电压和高可靠性，2N7002AQ-13非常适合应用于汽车电子模块中的负载开关、信号切换、电平转换以及电源管理电路。例如，在车身控制模块、传感器接口、LED驱动以及信息娱乐系统的低功率控制回路中，它都能发挥出色的性能。其宽工作温度范围也使其能够适应发动机舱等恶劣环境，是工程师在空间受限且要求高可靠性的汽车级或工业级设计中的理想选择。

• 型号:2N7002AQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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