2N7002H-13

作为一款N沟道增强型功率MOSFET，2N7002H-13采用了成熟的平面MOSFET架构。其核心在于利用金属氧化物半导体结构，通过在栅极施加电压来控制源极和漏极之间导电沟道的形成与关断。这种结构赋予了器件优异的开关控制特性，其栅极与沟道之间由二氧化硅层实现电气隔离，使得驱动电路设计更为简化，功耗极低。

该器件在性能上表现出多方面的优势。其60V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的工作电压裕量，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。在5V的栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通状态下，器件自身的功率损耗较小，有助于提升整体系统的能效。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值0.35nC）和输入电容（Ciss，最大值26pF）是其显著特点，这直接转化为快速的开关速度和极低的驱动功率需求，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，2N7002H-13的连续漏极电流（Id）在环境温度25°C下为170mA，足以驱动多种中小功率负载。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的良好兼容性，可以直接由微控制器或逻辑芯片驱动，无需额外的电平转换电路。器件采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，功率耗散能力为370mW，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取产品与相关服务。

凭借其小尺寸、低驱动要求和良好的开关性能，该MOSFET在各类电子系统中找到了广泛的应用。它常被用于负载开关、电源管理电路中的电平转换，以及作为信号路径上的开关元件。在便携式设备、物联网模块、消费电子及工业控制板卡中，它能够高效地控制LED、继电器线圈、小型电机等负载的供电通断。其快速开关特性也使其适用于需要高频PWM调光的场景，是工程师在设计紧凑型、高效率电子设备时的可靠选择。

• 型号:2N7002H-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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