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B170BE-13

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B170BE-13技术参数详情:

作为一款由Diodes Incorporated(美台半导体)推出的表面贴装肖特基整流二极管,B170BE-13采用了成熟的肖特基势垒技术。其核心架构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结二极管,能够实现更低的导通压降和更快的开关速度。该器件采用紧凑的DO-214AA(SMB)封装,专为高密度PCB设计优化,其内部结构在保证电气性能的同时,也兼顾了良好的热传导特性,有助于在连续工作状态下维持稳定的性能。

该二极管的功能特点突出体现在其高效率与快速响应上。其正向压降(Vf)典型值仅为790mV @ 1A,这意味着在相同的负载电流下,器件自身的功耗和发热显著低于普通整流二极管,从而提升了系统整体能效。同时,它具备快速恢复特性,其开关速度满足快速恢复(≤ 500ns)的标准,这对于抑制高频开关噪声、减少开关损耗至关重要,尤其适用于开关频率较高的电源电路。此外,其反向漏电流在70V反向电压下控制在200A水平,展现了良好的反向阻断能力。

在接口与关键参数方面,DIODES芯片代理提供的资料显示,B170BE-13定义了明确的工作边界。其最大反向重复电压(Vr)为70V,平均整流电流(Io)为1A,为设计提供了清晰的选型依据。其结电容在4V偏压和1MHz测试条件下为27pF,较小的寄生电容有助于减少高频应用中的信号失真和开关延迟。这些参数共同确保了器件在额定工况下的可靠性与耐用性。

基于上述技术特性,B170BE-13非常适合应用于对效率和速度有要求的场景。典型应用包括开关电源(SMPS)中的次级整流、高频DC-DC转换器的输出整流、极性保护以及低压大电流环境下的续流二极管。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定设计方案的备料中,它仍然是一个经典且性能可靠的选择,体现了肖特基二极管在功率管理领域的基础性价值。

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