BS250FTA

Diodes Incorporated推出的BS250FTA是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能与可靠性。该器件采用标准的三引脚SOT-23-3表面贴装封装，便于在空间受限的现代电子设备中进行高密度PCB布局，同时确保了良好的散热能力和生产装配效率。

在电气特性方面，BS250FTA具备45V的漏源击穿电压(Vdss)，为其在低压至中压应用场景中提供了充足的安全裕量。其导通电阻(Rds(On))在Vgs为-10V、Id为-200mA的条件下典型值仅为14欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为-3.5V（在Id=-1mA时测得），确保了其能够被常见的逻辑电平（如3.3V或5V）信号有效驱动，简化了驱动电路设计。此外，其输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大值为25pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合需要频繁切换状态的应用。

该MOSFET的连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为90mA，最大功耗为330mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了其宽温域下的稳定工作能力。栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，增强了其在电压瞬变环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链和正品保障的客户，通过官方DIODES授权代理进行采购是确保产品质量与供货稳定的重要途径。

凭借其小尺寸、低导通电阻、逻辑电平驱动以及宽工作电压范围等综合优势，BS250FTA非常适用于各类便携式设备、电池供电系统以及空间紧凑的电子模块。典型应用包括电源管理电路中的负载开关、电平转换、信号隔离与选通，以及在电机驱动、LED调光等电路中作为小功率开关元件。其稳健的性能使其成为工程师在需要高效、可靠P沟道MOSFET解决方案时的理想选择之一。

• 型号:BS250FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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