BSS127S-7

BSS127S-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了高压与低栅极电荷的平衡。该器件内部集成了一个高性能的MOSFET单元，其栅极结构经过优化，旨在提供稳定的开关特性和可靠的隔离性能，确保在高压环境下稳定工作。

该器件的一个显著特点是其高达600V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正等应用中的高压应力。同时，其极低的栅极电荷(Qg)，最大值仅为1.08nC @ 10V，配合较小的输入电容(Ciss)，共同决定了其出色的高频开关性能，能够有效降低开关损耗，提升系统整体效率。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、16mA漏极电流条件下最大值为160欧姆，适合用于小电流控制或信号切换场景。

在接口与参数方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，BSS127S-7的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最小驱动电压可低至5V，而栅源电压(Vgs)最大可承受±20V，提供了较强的抗干扰能力。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为50mA，最大功耗为610mW。器件采用表面贴装型SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB板上进行高密度布局，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的适用性。

凭借其高压、低栅荷及小封装的特点，BSS127S-7非常适合应用于需要高压隔离和小功率切换的场合。典型应用包括离线式AC-DC转换器中的启动电路、辅助电源的开关、电子镇流器、以及工业控制设备中的信号隔离与切换模块。其高可靠性也使其成为消费类电源适配器、智能家居控制器和LED照明驱动电路中高压侧开关的理想选择。

• 型号:BSS127S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 欧姆 @ 16mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.08 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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