DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，并封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列，确保了其在严苛的汽车电子环境中具备高可靠性与长期稳定性。其核心架构针对高功率密度与高效率应用进行了优化，通过精心的芯片设计与封装工艺，在极小的占板面积内实现了优异的电气与热性能平衡。

该MOSFET具备120V的漏源击穿电压(Vdss)与在壳温(Tc)条件下高达90A的连续漏极电流(Id)承载能力，为中等电压、大电流的开关应用提供了坚实的基础。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)及30A漏极电流条件下，最大值仅为7.8毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗，显著提升了系统的整体能效。器件支持4.5V至10V的标准栅极驱动电压范围，便于与主流控制器直接兼容，同时其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，确保了良好的噪声容限与可靠的开启/关断控制。

在动态特性方面，DMT12H007LPS-13在10V Vgs下的最大栅极总电荷(Qg)为49nC，结合其60V Vds下的输入电容(Ciss)典型值，共同决定了其开关速度与驱动需求，有助于设计者在开关损耗与电磁干扰(EMI)之间取得最佳平衡。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其最大功耗为2.9W，结合PowerDI5060-8封装优良的热性能，能够有效管理功率耗散。宽广的结温工作范围从-55°C延伸至150°C，使其能够适应从寒冷环境到发动机舱附近的高温环境。对于需要稳定供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻以及符合汽车级标准的可靠性，DMT12H007LPS-13非常适用于需要高效功率转换与控制的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器（特别是负载点降压转换器）、以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制与保护电路。此外，在工业电源、电动工具和高端消费类电子产品的电源模块中，它也是实现紧凑、高效功率开关方案的理想选择。

• 型号:DMT12H007LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3224 pF @ 60 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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