BSS138K-7

作为一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件，BSS138K-7的核心架构基于成熟的平面MOS工艺。其内部结构通过优化的沟道设计和栅极氧化层，实现了在低压驱动下的高效导通与快速开关。该器件在单晶硅衬底上集成了源极、漏极和栅极，并通过金属化工艺形成低电阻连接，确保了从芯片到封装引脚之间优异的电学与热学性能传递。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低阈值电压与低导通电阻的平衡上。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，这意味着它能够被常见的3.3V或5V逻辑电平轻松且可靠地驱动，非常适合在微控制器或数字ASIC的直接控制下工作。同时，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值远低于3.5欧姆，这有效降低了在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。此外，其极低的栅极电荷(Qg，最大值0.95nC)和输入电容(Ciss，最大值23.2pF)共同决定了其出色的开关速度，能够胜任高频开关应用，减少开关过渡期间的损耗。

在电气接口与关键参数方面，BSS138K-7提供了稳健的工作范围。其漏源击穿电压(Vdss)为50V，为设计提供了充足的电压裕量。连续漏极电流(Id)在环境温度下可达310mA，足以驱动许多中小功率负载。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，增强了其抗栅极电压瞬态冲击的能力。其采用标准的SOT-23表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

基于上述特性，该器件的典型应用场景广泛覆盖了现代电子系统的多个领域。它常被用于负载开关、电源管理电路中的电平转换，以及作为信号路径上的开关。在便携式设备、物联网模块、消费电子及工业控制板卡中，它能够高效地控制LED、继电器线圈、小型电机或其他外围电路的电源通断。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)也使其能够适应苛刻的环境条件，满足汽车电子、户外设备等对可靠性要求较高的应用需求。

• 型号:BSS138K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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