BSS138TC

作为一款N沟道增强型功率MOSFET，BSS138TC采用了成熟的平面MOSFET工艺与结构。其核心架构基于硅基半导体材料，通过精密的氧化层生长与掺杂工艺，在源极和漏极之间形成了一个受栅极电压控制的导电沟道。这种设计确保了器件在关断状态下具有极高的阻抗，而在导通时能实现低阻抗的电流通路，其栅极由二氧化硅绝缘层与沟道隔离，提供了优异的输入阻抗和快速的开关响应特性。

该器件在功能上表现出色，其栅极阈值电压典型值较低，这意味着它能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或数字信号处理器直接兼容，简化了驱动电路的设计。导通电阻在10V栅极驱动下仅为3.5欧姆，对于额定200mA的连续漏极电流而言，能有效降低导通损耗，提升系统效率。同时，其输入电容最大值仅为50pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数方面，BSS138TC提供了稳健的性能边界。其漏源击穿电压额定为50V，为负载开关或电平转换应用提供了充足的电压裕量。栅源电压可承受±20V，增强了抗栅极过压冲击的能力。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB上布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。用户可以通过正规的DIODES授权代理获取完整的技术资料与供货支持。

基于其低电压驱动、快速开关和小封装的特点，该MOSFET非常适合用于便携式电子设备、电池供电系统的负载开关、信号路由与电平转换电路。常见应用场景包括在电源管理模块中作为功率开关，控制外围电路的通断以节省功耗；在通信接口（如I2C、SPI）中实现不同电压域之间的双向电平移位；亦或是用于驱动小型继电器、LED灯组等负载。其紧凑的尺寸和良好的性能使其成为空间和效率敏感型设计的理想选择。

• 型号:BSS138TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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