DMP3025LK3-13-01

DMP3025LK3-13-01是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，集成了优化的单元设计，有效降低了栅极电荷和输出电容，从而在开关电源和功率管理应用中显著提升效率并减少开关损耗。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压，确保了在常见低压直流总线应用中的可靠性与安全裕度。其关键特性在于高达10.6A的连续漏极电流承载能力，结合优化的热设计，使其能够在高电流负载下稳定工作。器件在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值可达16.1A，展现了其强大的电流处理潜能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业与汽车环境温度波动。

在接口与电气参数方面，这款P沟道MOSFET专为负载开关、电源路径管理和DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关等应用而优化。其低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，是确保获得正品器件、完整数据手册及应用支持的有效途径。

该器件的典型应用场景广泛，包括但不限于笔记本电脑、平板电脑的电源管理单元、分布式电源系统的负载点（POL）转换器、电池保护电路以及各类便携式设备的功率分配模块。其表面贴装形式兼容自动化生产，有助于客户实现高密度、高可靠性的PCB布局。尽管该产品已处于停产状态，但其成熟的设计与性能参数在诸多现有设计方案中仍具有重要的参考价值与应用延续性。

• 型号:DMP3025LK3-13-01
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1678 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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