BSS138W-7

BSS138W-7是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其核心在于利用金属氧化物半导体结构，通过在栅极施加电压来控制源极和漏极之间导电沟道的形成与关断，从而实现高效的信号切换与功率控制功能。其设计优化了载流子迁移路径，确保了在低压驱动下的快速响应与稳定导通。

该器件具备多项关键电气特性，使其在小信号处理与低功率开关应用中表现出色。其最大漏源电压(Vdss)为50V，为低压电路提供了充裕的电压裕度。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为200mA，适合驱动继电器、LED或作为逻辑电平接口的负载开关。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，且在10V栅源电压(Vgs)驱动下，导通电阻(RdsOn)典型值较低，这意味着它能够与3.3V或5V的现代微控制器及逻辑电路直接兼容，实现高效、低损耗的开关操作，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。

在接口与参数方面，该MOSFET采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，非常适合高密度的PCB布局。其输入电容(Ciss)最大值仅为50pF，较低的栅极电荷需求有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频开关性能。器件支持±20V的栅源电压范围，提供了较强的栅极抗过压能力。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货渠道的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取原厂技术支持与供应链服务。

鉴于其参数特性，BSS138W-7广泛应用于各类便携式电子设备、通信模块及工业控制单元中。典型应用场景包括电池供电设备中的电源管理开关、信号路径选择与隔离、模拟或数字信号的负载切换，以及作为接口缓冲器保护后续敏感电路。其小尺寸、低驱动电压和良好的开关特性，使其成为空间受限且对能效有要求的低功率电路设计的理想选择。

• 型号:BSS138W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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