DMP3010LK3-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP3010LK3-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关。该器件在结构上优化了沟道设计，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，确保了在开关应用中能够快速响应并减少能量损失。其稳健的物理设计使其能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，为严苛环境下的应用提供了可靠性保障。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达17A的连续漏极电流，使其能够承载较大的功率负载。其导通电阻（Rds(On)）在10A电流、10V栅源电压下的典型值仅为8毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了系统的整体能效。此外，其栅极驱动要求适中，在4.5V至10V的驱动电压下即可实现良好的导通特性，最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为2.1V，这使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器能够轻松兼容，简化了驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，DMP3010LK3-13采用了标准的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极电荷（Qg）在4.5V条件下最大值为59.2nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。输入电容（Ciss）在15V条件下最大为6234pF，这些动态参数共同决定了器件在高频开关应用中的性能边界。其栅源电压耐受范围为±20V，提供了良好的抗电压尖峰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其综合性能，该MOSFET非常适合应用于多种需要高效功率管理和开关控制的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电机驱动电路中的预驱动或反向极性保护，以及各类消费电子、工业控制和汽车辅助系统中的低侧或高侧开关。其平衡的电压、电流能力与出色的热性能，使其成为中低功率密度设计中一个可靠且具成本效益的解决方案。

• 型号:DMP3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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