BSS84W-7

Diodes Incorporated推出的BSS84W-7是一款采用P沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在紧凑的SOT-323封装内集成了高性能的栅极控制结构与低阻抗的导电沟道。该器件利用金属氧化物半导体场效应晶体管的工作原理，通过栅极电压精确控制源极与漏极之间的导通状态，实现了高效的信号切换与功率控制功能。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压(Vdss)为50V，为低压电路提供了充足的电压裕度，增强了系统的可靠性。在栅源驱动电压(Vgs)为5V时，器件能表现出较低的导通电阻，典型值在10欧姆@100mA条件下测得，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其连续漏极电流(Id)额定值为130mA，适用于中小电流的负载开关或信号路径选择应用。此外，器件的输入电容(Ciss)最大值仅为45pF @ 25V，这意味着它具有较快的开关速度，能够响应高频的开关信号，减少开关过程中的延迟与损耗。

在电气参数与接口方面，BSS84W-7的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V @ 1mA，确保了在标准逻辑电平（如3.3V或5V）下能够被可靠地驱动和完全开启。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件的功率耗散能力为200mW (Ta)，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），使其能够适应从消费电子到工业控制等多种环境要求。其表面贴装型SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产焊接。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得正品器件与全面的技术支持。

基于其技术规格，BSS84W-7非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。典型应用包括便携式设备（如手机、平板电脑）中的电源管理单元，用于实现负载开关、电池反接保护或电源路径切换。在通信模块、传感器接口板中，它可用于信号电平转换或数字信号的隔离切换。此外，其快速的开关特性也使其适用于低侧开关驱动或作为其他功率器件的预驱动级。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设计的维护或特定低功耗、小尺寸方案中，它仍然是一个经典且经过验证的选择。

• 型号:BSS84W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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