DMPH6050SK3Q-13

作为一款高性能的功率开关器件，DMPH6050SK3Q-13采用了先进的P沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件在结构上进行了精心设计，以最小化寄生电容和栅极电荷，这对于提升开关速度、降低开关损耗至关重要，使其在需要频繁切换的电路中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压(Vdss)为60V，提供了良好的电压裕度，适用于多种中压应用环境。在25°C环境温度(Ta)下，连续漏极电流(Id)额定值为7.2A，而在管壳温度(Tc)条件下，该值可高达23.6A，展现了其强大的电流处理能力和优异的热性能。其导通电阻(Rds(on))在7A电流、10V栅源电压(Vgs)条件下典型值仅为50毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。

在接口与关键电气参数方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，其栅极驱动特性十分友好。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器轻松兼容，简化了驱动电路设计。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为25nC @ 10V，结合1377pF @ 30V的输入电容(Ciss)，意味着驱动所需的能量很小，有助于降低栅极驱动损耗并提升开关频率潜力。器件采用坚固的TO-252 (DPAK)表面贴装封装，在-55°C至175°C的宽结温范围内保持稳定工作，最大功耗为1.9W (Ta)，确保了在苛刻环境下的可靠性。

基于其综合性能，DMPH6050SK3Q-13非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、电机驱动电路中的预驱动或H桥下管，以及电池供电设备中的反向极性保护和负载开关。其P沟道特性常被用于高侧开关配置，无需额外的电荷泵或自举电路，从而简化了系统设计并降低了成本。

• 型号:DMPH6050SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta），23.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1377 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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