DMC2990UDJQ-7

DMC2990UDJQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用微型SOT-963封装的N沟道和P沟道互补型MOSFET阵列。该器件专为空间受限且要求高可靠性的应用而设计，其紧凑的封装内集成了两个性能匹配的MOSFET，为电路设计提供了极大的灵活性和集成度。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品，它能够在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作，满足汽车电子系统对元器件耐久性和稳定性的高标准要求。

该芯片的核心优势在于其极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)。其N沟道MOSFET在4.5V Vgs下的最大栅极电荷仅为0.5nC，P沟道MOSFET则为0.4nC，配合低至27-28pF的输入电容，使得开关过程中的充放电损耗被降至最低。这一特性直接转化为极高的开关频率和极低的驱动损耗，特别适合用于需要快速切换的负载开关、电平转换或PWM控制电路，能够显著提升系统的整体能效和响应速度。

在电气参数方面，DMC2990UDJQ-7的漏源电压(Vdss)为20V，能够覆盖大多数低电压应用场景。其导通电阻(RDS(on))在100mA、4.5V Vgs条件下，N沟道最大值为990毫欧，P沟道最大值为1.9欧姆，确保了在中小电流应用中的导通效率。连续漏极电流(Id)在环境温度下分别可达450mA和310mA，最大功耗为350mW，平衡了电流处理能力与封装的热限制。其阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，确保了与低电压逻辑信号（如1.8V, 3.3V, 5V）的良好兼容性，可直接由微控制器或逻辑芯片驱动，无需额外的电平转换或复杂的驱动电路，简化了设计。

凭借其互补对结构、优异的开关特性、汽车级的可靠性以及超小的封装尺寸，该器件在众多领域找到了用武之地。它非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源路径管理、信号切换和电池保护电路。在汽车电子中，可用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统、传感器接口的负载开关。此外，在工业控制、通信模块以及需要高密度布板的设备中，其价值也尤为突出。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMC2990UDJQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-963
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta），310mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
• 功率 - 最大值:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-963
• 供应商器件封装:SOT-963
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