DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，并符合严苛的Automotive, AEC-Q101产品系列标准，确保了其在汽车电子等高可靠性应用中的稳定表现。该器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的电气与热性能平衡。

其核心架构针对低导通损耗和高开关效率进行了优化。该MOSFET具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在25°C环境温度下可支持高达35.8A的连续漏极电流（Id）。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为1.35毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，配合最大±20V的栅源电压耐受能力，提供了稳健的驱动兼容性和安全性。

在动态特性方面，DMT31M6LPS-13在10V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值为123nC，结合在15V Vds下最大7019pF的输入电容（Ciss），这些参数共同定义了其开关速度与驱动需求，有助于设计者在开关损耗与电磁干扰（EMI）之间取得最佳平衡。器件的最大功率耗散为2.5W（Ta），结合PowerDI5060封装优良的热性能，能够有效管理工作中产生的热量。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，适应从极寒到高温引擎舱的严酷环境。

凭借其低导通电阻、高电流能力、符合AEC-Q101标准以及宽工作温度范围等特点，此款MOSFET非常适用于需要高功率密度和高可靠性的场合。典型应用包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、电池管理电路（BMS）中的保护开关，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流等。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品的完整技术资料、样品及采购支持。

• 型号:DMT31M6LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:123 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7019 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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