DMC3021LSDQ-13

DMC3021LSDQ-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的双路互补功率MOSFET阵列，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，两者均采用先进的沟槽工艺制造，旨在为空间受限的现代电子设备提供高效的功率开关解决方案。其逻辑电平门驱动特性使其能够与微控制器和低电压数字逻辑电路直接兼容，简化了系统设计并减少了外围元件需求。

该芯片的核心优势在于其优异的导通性能与快速开关特性的平衡。N沟道MOSFET在10V栅极驱动下，导通电阻低至21毫欧，能够支持高达8.5A的连续漏极电流，有效降低了导通损耗。与之配对的P沟道MOSFET同样具备7A的电流能力和低导通电阻，共同构成了高效的半桥或负载开关电路。低至2.1V的最大栅极阈值电压确保了在3.3V或5V逻辑电平下的可靠开启，而16.1nC的低栅极电荷和767pF的输入电容则显著减少了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，提升了整体能效和响应速度。

在电气参数方面，器件额定漏源电压为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。2.5W的最大功耗能力与表面贴装封装相结合，优化了热管理设计。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保产品正宗和供货稳定。

基于其双路互补、逻辑电平驱动和低损耗的特性，DMC3021LSDQ-13非常适合应用于需要高效功率路径管理的场景。典型应用包括直流电机驱动、步进电机控制中的H桥电路、电源系统中的负载开关与OR-ing功能、电池供电设备的功率分配，以及各类消费电子和工业控制板卡中的紧凑型开关解决方案。其设计在性能、尺寸和成本之间取得了良好平衡，是工程师实现高密度、高效率功率设计的优选器件。

• 型号:DMC3021LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 现在可以订购DMC3021LSDQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。