DMC3036LSD-13

作为一款集成N沟道与P沟道MOSFET的功率器件，DMC3036LSD-13采用了先进的硅工艺技术，将两个逻辑电平门控的MOSFET集成于一个紧凑的8-SOIC封装内。这种共封装的双MOSFET架构为设计工程师提供了高度的集成便利性，特别适用于需要互补驱动或半桥拓扑的电路，有效节省了PCB空间并简化了布局布线。

该器件的一个显著特性是其逻辑电平门控设计，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为2.1V，这意味着它可以被常见的3.3V或5V微控制器GPIO端口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。在导通性能方面，其在10V Vgs下的导通电阻(Rds(on))典型值低至36毫欧，这一特性确保了在高达5A（N沟道）和4.5A（P沟道）的连续漏极电流下，器件能够保持较低的导通损耗和温升，提升了电源转换效率。

在动态特性上，较低的栅极电荷(Qg，最大值7.9nC)和输入电容(Ciss，最大值431pF)共同作用，使得开关速度更快，开关过程中的损耗得以降低，这对于高频开关应用至关重要。其30V的漏源击穿电压(Vdss)为常见的12V或24V总线系统提供了充足的安全裕量。该器件采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品技术支持和供货信息。

凭借其集成化、高效率和高可靠性的特点，DMC3036LSD-13非常适合应用于各类电源管理模块，例如DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥驱动、以及电池保护板中的充放电控制回路。它在空间受限且要求高效率的便携式设备、消费电子及工业自动化控制系统中都能发挥关键作用。

• 型号:DMC3036LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A，4.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:431pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOP
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