DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造，封装于紧凑的8-SOP表面贴装封装内。其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制，通过优化沟道设计和栅极结构，在提供高电流处理能力的同时，显著降低导通损耗。该器件基于成熟的平面工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，能够安全地工作在常见的低压电源系统中。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达16A，展现出强大的电流承载能力。更关键的是，其导通电阻(RdsOn)极低，在10V栅源电压(Vgs)和15A漏极电流条件下，最大值仅为7毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.1V，且驱动电压范围宽（推荐4.5V至10V以获得最佳RdsOn），使其既能兼容低电压逻辑电平控制，也能在标准驱动电压下发挥全部性能。

在动态特性方面，DMN3007LSS-13同样表现出色。其栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值为64.2nC，结合最大2714pF的输入电容(Ciss)，意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于减少开关损耗并允许使用更小、更经济的栅极驱动器。器件允许的栅源电压(Vgs)最大值为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其最大功耗为2.5W，紧凑的8-SOP封装优化了热性能，便于在空间受限的PCB布局中进行散热管理。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类负载开关设计中。在服务器电源、电动工具、无人机电调、汽车辅助系统及便携式电子设备的电源管理部分，都能找到其用武之地，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元件之一。

• 制造商产品型号：DMN3007LSS-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：64.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2714pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOP
• 现在可以订购DMN3007LSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。