DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺集成的互补型MOSFET阵列。该器件在超紧凑的SOT-963封装内，同时集成了一个N沟道和一个P沟道增强型MOSFET，构成一个高效的功率开关对。这种集成架构极大地节省了PCB空间，简化了电路布局，特别适合在空间受限的便携式和微型化设备中实现高效的电源路径管理和信号切换功能。

该芯片的显著特性在于其逻辑电平门驱动能力，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V。这意味着它可以直接由低电压的微控制器GPIO口（如1.8V, 3.3V, 5V系统）高效驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。同时，在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，N沟道和P沟道分别表现出优异的导电性能，能有效降低导通损耗，提升能源效率。

在电气参数方面，DMC31D5UDJ-7的漏源击穿电压(Vdss)为30V，能够满足多数低电压电路的保护与切换需求。其极低的栅极电荷(Qg，最大值0.38nC)和输入电容(Ciss，最大值22.6pF)确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗，这对于高频PWM应用和需要快速响应的开关电路至关重要。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并采用表面贴装形式，具备良好的可靠性与生产兼容性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供应链安全的重要途径。

基于其小尺寸、双通道互补、逻辑电平兼容及低损耗的特点，该芯片非常适合应用于负载开关、电源选择电路、电机驱动H桥的下管、信号门控以及电池供电设备的功率管理模块。例如，在智能手机、可穿戴设备、物联网传感器模块中，它可以高效地管理不同电源域的开启与关断，或在便携式设备的电机、振动器驱动中扮演关键角色。

• 型号:DMC31D5UDJ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-963
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA，200mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.38nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.6pF @ 15V
• 功率 - 最大值:350mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-963
• 供应商器件封装:SOT-963
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