DMG2301L-13

DMG2301L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了高性能的功率开关功能，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的开关操作。通过优化的单元设计和制造工艺，该MOSFET在有限的芯片面积内实现了优异的电气性能平衡，为空间受限的便携式或高密度应用提供了可靠的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，能够满足多种低压系统的需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)可达3A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻表现优异，在Vgs为4.5V、Id为2.8A的条件下，Rds(on)最大值仅为120毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应4.5V），使其能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMG2301L-13同样表现出色。其栅极电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大值仅为5.5nC，输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大值为476pF，这些低电荷特性显著减少了开关过程中的充放电时间与能量损失，有利于实现高频开关操作并降低开关损耗。器件的栅源电压可承受±8V，提供了良好的栅极保护裕量。其结温工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其紧凑的SOT-23封装、低导通电阻、低栅极电荷以及宽工作温度范围，DMG2301L-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的功率路径控制、电池供电系统的反向电流保护、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动、LED照明控制等领域的功率开关电路。其易于驱动的特性使其成为现代高效、紧凑型电子设计的理想选择。

• 型号:DMG2301L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:476 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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