DMG2302UQ-13

DMG2302UQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，实现了在紧凑的SOT-23-3封装内，对导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）等关键参数的良好平衡。这种设计使得器件在提供较低导通损耗的同时，也具备了快速的开关特性，这对于提升系统效率和响应速度至关重要。

该器件在功能上表现出色，其最大连续漏极电流（I_D）可达4.2A，而漏源击穿电压（V_DSS）为20V，使其能够稳定工作在常见的12V及以下的低压电源环境中。其导通电阻在驱动电压V_GS=4.5V、电流I_D=3.6A的条件下，典型值仅为90mΩ，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。更值得关注的是，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值仅为1V，且驱动电压范围宽至2.5V至4.5V，这使其能够与绝大多数3.3V或5V逻辑电平的微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）直接兼容，无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计。

在电气接口与参数方面，除了优异的静态参数，其动态特性同样突出。栅极总电荷（Q_g）在V_GS=4.5V时典型值仅为7nC，结合较低的输入电容（C_iss），确保了开关过程中对驱动电路的需求很低，能够实现高频、高效的开关操作。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并采用标准的表面贴装SOT-23-3封装，具有良好的热性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

基于上述特性，DMG2302UQ-13非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的现代电子设备中。其主要应用场景包括但不限于：负载开关、电源管理模块（如DC-DC转换器中的同步整流或开关管）、电机驱动（如小型风扇、微型泵）、电池保护电路以及便携式设备中的功率路径管理。其小尺寸、高效率和易驱动性，使其成为空间受限的紧凑型消费电子、物联网（IoT）设备、移动电源及各类嵌入式系统的理想功率开关解决方案。

• 型号:DMG2302UQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMG2302UQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。