DMG2302UQ-7

DMG2302UQ-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-23-3表面贴装器件中。该器件设计用于在低电压、高电流密度的开关应用中提供卓越的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在提升系统效率并减少开关损耗。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和4.2A的连续漏极电流(Id)能力，使其非常适合在5V至12V的常见低压总线系统中作为主开关或负载开关使用。其关键优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅源电压(Vgs)和3.6A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为90毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗和更高的能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围宽（推荐2.5V至4.5V），确保了与3.3V和5V逻辑电平的微控制器或电源管理IC的兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMG2302UQ-7表现出色，其栅极总电荷(Qg)在4.5V Vgs下最大值仅为7nC，结合594.3pF的输入电容(Ciss)，意味着极低的栅极驱动损耗和更快的开关速度，这对于高频开关电源和脉冲宽度调制(PWM)控制应用至关重要。器件支持高达±8V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散800mW的功率，确保了在苛刻环境下的可靠运行。如需获取原厂技术支持与供货保障，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其SOT-23-3的小尺寸封装和优异的电气参数，该器件广泛应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥臂、电池供电设备的负载管理开关、便携式设备中的电源路径控制，以及LED驱动和各类低压大电流的功率开关模块。其综合性能使其成为工程师在低压、高密度电源设计中优先考虑的功率开关解决方案之一。

• 型号:DMG2302UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMG2302UQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。