DMG3404L-7

DMG3404L-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件在紧凑的SOT-23封装内集成了高性能的功率开关核心，其栅极结构经过优化，以实现快速开关特性和低栅极电荷。其核心设计旨在提供优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这是衡量MOSFET开关效率的关键品质因数，使其在需要高频开关和高效能转换的应用中表现出色。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达30V，能够满足多种低压电源轨的应用需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为4.2A，展现了其在小型封装内承载可观电流的能力。其导通电阻极低，在Vgs=10V、Id=5.8A的条件下，Rds(on)最大值仅为25毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，且驱动电压范围宽（推荐4.5V至10V，最大可承受±20V），使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容良好，易于驱动。

在动态参数方面，DMG3404L-7同样表现优异。在Vgs=10V时，总栅极电荷(Qg)最大值仅为13.2nC，结合641pF（@15V）的输入电容(Ciss)，意味着驱动电路所需的开关能量很小，有助于实现更高的开关频率并降低驱动损耗。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。该器件采用表面贴装型SOT-23封装，占板面积小，非常适合高密度PCB设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

基于其综合性能，DMG3404L-7非常适用于对空间和效率有严格要求的现代电子设备。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC同步整流和负载开关，利用其低导通电阻减少压降和热损耗；电池供电设备的电源管理，如智能手机、平板电脑和便携式设备中的功率路径管理，其低栅极电荷有助于延长电池续航；电机驱动中的预驱动或小功率驱动；以及各类消费电子和工业控制模块中的高频开关电路。其稳健的设计使其成为工程师在低压、中电流开关应用中的可靠选择。

• 型号:DMG3404L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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