DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated推出的DMG4468LFG-7是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件基于U-DFN3030-8封装，在紧凑的占板面积内集成了高性能的功率处理能力，其热设计经过优化，有助于在表面贴装应用中实现高效散热。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、11.6A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为15毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在18.85nC，结合867pF的输入电容，确保了快速的开关转换速度，能有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用场景。

在电气参数方面，DMG4468LFG-7具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和7.62A的连续漏极电流能力，为其在低压、大电流路径中作为高效开关或同步整流元件提供了坚实的基础。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，并兼容4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，增强了设计的便利性。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪性与可靠性裕度。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求，而通过正规的DIODES代理商采购可确保获得原厂正品与完整的技术支持。

凭借上述综合性能，该器件非常适合用于需要高功率密度和高效率的现代电子设备中。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、计算设备和网络通信设备的电源管理子系统。其表面贴装形式和优异的电气特性使其成为空间受限且对能效有严格要求的设计方案的理想选择。

• 型号:DMG4468LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.62A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
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