DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，并封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件专为在严苛的汽车电子及工业环境中实现高效功率开关而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。它具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs驱动下典型值仅为13毫欧（@10A），这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，最大栅极电荷（Qg）控制在55.4nC（@10V），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担，特别适合高频开关应用。其宽泛的栅源电压（Vgs）范围（±20V）增强了驱动灵活性。

在接口与关键参数上，DIODES一级代理可提供详细的技术支持。器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为10.3A，而在借助封装良好散热（壳温Tc）条件下，该值可显著提升至45A，展现了其强大的电流处理潜力。其阈值电压（Vgs(th)）最大为3V，确保了与常见逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。此外，它支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围，并采用符合汽车级可靠性的材料和工艺，确保了在高温、振动等恶劣条件下的长期稳定运行。

基于上述特性，DMN6013LFGQ-7非常适用于需要高可靠性和高效率的功率管理场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和负载点（POL）转换。其PowerDI3333封装在提供优异散热性能的同时，也节省了宝贵的PCB空间，是空间受限且对热性能有要求的现代电子系统的理想选择。

• 型号:DMN6013LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2577 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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