DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件，采用紧凑的8引脚SO封装，专为表面贴装应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其沟道设计优化了载流子迁移率，从而在给定的芯片面积下实现了较低的Rds(on)。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压(Vdss)为30V，使其适用于低压电源轨的开关与保护电路。其关键优势在于出色的导通性能，在10V驱动电压(Vgs)和10.7A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为15毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.3V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

器件的动态特性同样经过优化，在10V Vgs下的总栅极电荷(Qg)最大值仅为18.5nC，较低的Qg值意味着在开关过程中需要转移的电荷量少，这不仅降低了栅极驱动的损耗，也支持更高频率的开关操作，有助于减小外围无源元件的体积。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为1849pF，这一参数与Qg共同决定了开关速度与驱动电流需求。此外，该器件内部集成了体二极管（肖特基二极管特性），为感性负载的续流提供了路径，增强了应用的可靠性。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取产品技术与供货信息。

综合其30V/8A的额定能力、低导通电阻、快速开关特性以及SMD封装，DMG4812SSS-13非常适合于空间受限且对效率有要求的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池管理系统的保护模块。其性能参数使其成为消费电子、计算机周边设备、便携式仪器等产品中功率管理单元的优选解决方案。

• 型号:DMG4812SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1849 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.54W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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