DMG4N60SK3-13

Diodes Incorporated推出的DMG4N60SK3-13是一款采用N沟道平面MOSFET技术的功率开关器件，其核心架构基于成熟的硅基工艺，旨在提供高效的功率转换与开关控制。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，这种封装形式在保证良好散热性能的同时，也优化了PCB布局的空间利用率，适合自动化贴片生产。

在电气特性方面，这款MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够稳定工作在高压离线式电源拓扑中。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值为2.3欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为14.3nC，结合532pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的动态损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。

器件的驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。在热性能方面，其最大功耗为48W（环境温度Ta下），结合TO-252封装的热阻特性，在合理的散热设计下可支持3.7A的连续漏极电流（Tc条件下）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取该产品的详细信息与采购服务。

综合其高压、低栅极电荷以及良好的热特性，DMG4N60SK3-13非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。其典型的应用场景包括AC-DC开关电源的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及LED照明驱动等。在这些应用中，它能够有效承担主功率开关的角色，帮助系统实现紧凑的设计与高效的能源转换。

• 型号:DMG4N60SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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