DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的功率处理能力。其核心设计旨在提供极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优化平衡，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET在4.5V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至25毫欧（@6.5A），这一特性使其能够在承载高达6.5A连续漏极电流时，将导通损耗降至最低。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为900mV，而驱动电压范围宽至1.8V至4.5V，这意味着它能够兼容低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V）直接驱动，简化了驱动电路设计，无需额外的电平转换器件。其最大栅极电荷仅为8.5nC，结合151pF的输入电容，共同决定了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，DMG6968UQ-7的漏源击穿电压（Vdss）为20V，栅源电压（Vgs）可承受±12V，提供了稳定的工作余量。其功率耗散能力在环境温度下为1.3W，结合SOT-23封装良好的热性能，能够有效管理热量。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能和小尺寸的组合，该器件是空间受限且对效率要求高的应用的理想选择。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、便携式设备中的电源管理、电机驱动控制模块（如无人机、小型机器人）、电池保护电路以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制产品。其设计充分考虑了现代电子系统对功率密度和能效的持续追求。

• 型号:DMG6968UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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