DMT10H072LFV-13

Diodes Incorporated推出的DMT10H072LFV-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其设计旨在提供优异的开关性能和功率密度。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）封装，实现了高电流处理能力与极小占板面积的平衡，非常适合空间受限的现代电子设备。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，从而在给定的芯片面积内实现了更低的导通损耗和更快的开关速度。

该MOSFET的显著特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss），这为其在常见的中压应用场景中提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和4.5A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为62毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4.5nC @ 10V，结合228pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量极低，有助于简化栅极驱动设计并进一步提升高频开关性能。

在电气参数方面，DMT10H072LFV-13在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为4.7A，而在管壳温度（Tc）条件下可达20A，展现了其强大的电流处理潜力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动。器件支持±20V的最大栅源电压，提供了较强的栅极抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，DMT10H072LFV-13主要面向需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池管理系统等应用。例如，在同步整流拓扑、电动工具或无人机电调中，其低Rds(On)和高开关速度的组合能有效降低功耗和温升。其表面贴装型封装也完全适配自动化生产流程，满足消费电子、工业控制和汽车电子等领域对产品小型化与高可靠性的双重需求。

• 型号:DMT10H072LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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