DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效热管理的应用场景而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，在有限的芯片面积内实现了出色的电流处理能力，同时确保了开关过程中的快速响应与低损耗。

在电气性能方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（V_DSS），为低压电源轨提供了充足的裕量。其在25°C环境温度下连续漏极电流（I_D）可达9.8A，展现了强大的负载驱动能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在20V栅源电压（V_GS）和12A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为11mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，配合4.5V至20V的推荐驱动电压范围，使其既能兼容标准逻辑电平，也能在更高栅压下获得最优的导通性能。

除了静态参数，其动态特性同样出色。在10V V_GS下，栅极总电荷（Q_g）最大值仅为58nC，结合2987pF @ 15V的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的开关能量较低，有助于简化栅极驱动设计并提升开关频率。器件采用表面贴装形式，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为940mW，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

综合其高电流能力、低导通电阻、快速开关特性以及优异的封装热性能，DMG7401SFG-13非常适用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其设计充分满足了现代电子系统对小型化、高效化和高可靠性的核心需求。

• 型号:DMG7401SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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