DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的占位面积内提供卓越的功率处理能力。

该芯片的关键特性在于其优异的电气性能。它具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达9.8A的连续漏极电流(Id)，为低压应用提供了充足的裕量。其导通电阻(Rds(on))表现突出，在20V栅源电压(Vgs)和12A漏极电流条件下，最大值仅为11毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，配合4.5V至20V的宽范围驱动电压，使其既能兼容标准逻辑电平，也能在更高驱动电压下获得最优的导通性能。

在动态参数方面，DIODES芯片代理提供的技术资料显示，DMG7401SFGQ-7在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为58nC，结合2987pF @ 15V的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关转换和较低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。器件支持±25V的栅源电压，提供了良好的栅极可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，表面贴装的PowerDI3333-8封装具有良好的热性能，最大功耗为940mW，适合在严苛的环境下稳定运行。

综合其低导通电阻、高电流能力、快速开关以及出色的热性能，DMG7401SFGQ-7非常适用于空间受限的现代电子设备。其典型应用场景包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC转换器、负载开关及电池保护电路；分布式电源系统的次级侧同步整流；以及各类便携式设备、网络设备和工业控制模块中的功率路径管理。该器件是工程师在追求高功率密度和高可靠性设计时的理想选择。

• 型号:DMG7401SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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