DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能，通过优化的单元设计和封装技术，在紧凑的尺寸内有效管理功率密度与热性能，为高效率电源转换提供了坚实的基础。

该器件在30V的漏源电压下，能够提供高达10.5A的连续漏极电流，展现了出色的电流承载能力。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为11毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并支持高达±20V的栅源电压，确保了与多种逻辑电平控制器（如3.3V或5V MCU）的兼容性和驱动的可靠性。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）进一步优化了开关速度，减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。

在接口与参数方面，该MOSFET采用表面贴装的PowerDI3333-8封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在900mW的功率耗散下稳定工作，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

基于其高性能参数，DMG7430LFG-7非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、笔记本电脑和台式机的电源管理、电机驱动控制电路，以及各类便携式设备、消费电子产品和工业控制模块中的功率分配与开关功能。其平衡的性能使其成为中低电压、中高电流应用场景下的一个高性价比选择。

• 型号:DMG7430LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1281 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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