DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种专为高功率密度和高效散热而优化的紧凑型表面贴装封装，其紧凑的占位面积使其非常适合空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的导通性能与开关特性的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧（在13.5A条件下），这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，结合优化的栅极电荷（Qg）仅为31.6nC，确保了器件能够被标准逻辑电平信号快速、高效地驱动，同时有效降低了开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，DMG7702SFG-7具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达12A的连续漏极电流（Id）能力，提供了稳健的电压和电流裕量。其内部集成了体二极管（肖特基二极管），为感性负载提供了续流路径，简化了电路设计并增强了可靠性。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的能力。其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行，而通过DIODES芯片代理可以获得稳定的供货和技术支持。

凭借其低Rds(On)、低Qg和高电流处理能力的组合，这款MOSFET是众多功率管理应用的理想选择。它广泛应用于DC-DC转换器（如同步整流和负载点转换）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的便携式设备、计算和消费电子产品中，是实现高效率、高可靠性电源解决方案的关键组件。

• 型号:DMG7702SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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