DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于经典的TO-252（D-Pak）表面贴装封装内。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，旨在实现高效率的功率开关控制。该器件在单一硅片上集成了低导通电阻的功率开关单元与优化的栅极驱动结构，确保了在紧凑的封装内实现优异的电气性能与热性能平衡。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在众多应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达30V，为低压电源轨提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值可达11A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和11.6A漏极电流条件下，最大值仅为7.5毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，使其既能兼容标准逻辑电平驱动，又具备良好的抗干扰性。

在动态特性方面，DMG8880LK3-13的栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为27.6nC，输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1289pF，这些参数共同决定了其开关速度，有助于降低开关损耗，适用于中等频率的开关应用。其最大功耗为1.68W（Ta），结合TO-252封装良好的热传导路径，能够有效管理器件温升。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取产品与相关服务。

综合其接口与参数特性，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥或半桥低侧开关、电池保护电路中的负载开关，以及各类低压大电流的电源管理模块。其表面贴装形式和稳健的性能参数，使其成为消费电子、计算机周边、工业控制及便携式设备中功率路径管理的理想选择之一。

• 制造商产品型号：DMG8880LK3-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 11A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1289pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.68W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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