DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET阵列芯片，采用紧凑的SO-8封装。该器件集成了两个N沟道和两个P沟道MOSFET，构成一个完整的H桥拓扑结构，专为需要高效双向控制的直流电机驱动、负载开关及电源管理应用而设计。其核心架构优化了功率密度与热性能，在单芯片内实现了对称的驱动路径，简化了外围电路设计并提升了系统可靠性。

该芯片的显著特性在于其优异的电气性能与稳健性。其漏源击穿电压（BVDSS）高达40V，为12V或24V汽车总线系统提供了充足的电压裕量。导通电阻（RDS(on)）在典型工作条件下表现突出，N沟道低至45mΩ @ 10V Vgs，P沟道为65mΩ @ 10V Vgs，这直接降低了导通损耗，提升了整体能效。同时，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平，分别约为5.9nC和574pF，这有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并降低对驱动电路电流能力的要求。

在接口与参数方面，该器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值可达4.5A，结合1.5W的最大功耗能力，使其能够处理可观的功率水平。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动IC直接驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛的汽车环境，如引擎舱或高温电子模块中的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品及相关技术支持。

得益于其车规级认证和H桥集成设计，DMHC4035LSDQ-13非常适合于各类汽车电子应用场景。典型应用包括车窗升降器、天窗控制、雨刮器电机、风扇电机等中小功率直流电机的驱动。此外，它也适用于需要极性反转或精密开关控制的负载点（POL）电源、电磁阀驱动以及电池供电设备中的有源OR-ing功能。其表面贴装封装形式符合现代自动化生产要求，有助于客户实现高密度、高可靠性的PCB布局。

• 型号:DMHC4035LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），3.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5nC @ 10V，11.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574pF @ 20V，587pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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