DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-251（也称IPAK）通孔封装中。该器件基于优化的单元设计，旨在实现高阻断电压与良好导通特性之间的平衡，其核心在于能够在高达700V的漏源电压（Vdss）下稳定工作，这使其非常适用于需要承受高电压应力的离线式电源拓扑结构。

该MOSFET的显著特性包括其低导通电阻与优化的开关性能。在10V驱动电压（Vgs）和1.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为12.8nC，输入电容（Ciss）在50V条件下最大值为420pF，这些参数共同决定了其具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，尤其适用于频率较高的开关电源应用。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，DMJ70H1D0SV3在壳温（Tc）条件下标称连续漏极电流为6A，最大功率耗散能力达到104W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V（在250A漏极电流下测得），属于标准电平，可与多种控制器兼容。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要获取此型号技术支持和供货服务的用户，可以联系DIODES中国代理以获取详细信息。

凭借700V的高压能力和良好的动态特性，这款MOSFET主要面向AC-DC电源转换领域，例如开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路以及LED照明驱动。其TO-251封装兼顾了散热性能与PCB占板面积，是工业控制、家用电器和辅助电源等中功率应用的常见选择。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:DMJ70H1D0SV3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
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