DMNH6021SPDW-13

DMNH6021SPDW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI506封装的N沟道双MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-PowerTDFN表面贴装封装，内部集成两个独立的增强型MOSFET，其设计旨在提供卓越的功率密度和散热性能，特别适合空间受限的高效率应用。

该芯片的核心优势在于其优异的电气参数平衡。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。在导通特性方面，其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs和15A Id条件下典型值低至25毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为20.1nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其电流处理能力同样出色，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为8.2A，而在封装壳温（Tc）条件下可达32A，展现了强大的功率处理潜力。

在接口与可靠性方面，DMNH6021SPDW-13提供了标准逻辑电平兼容的栅极驱动，Vgs(th)最大值为3V @ 250A，便于与主流控制器直接连接。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大功耗为1.5W（Ta），结合PowerDI506封装优异的散热特性，使其能够在高功率密度设计中可靠工作。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正品和质量的首选途径。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及紧凑高效的封装，DMNH6021SPDW-13非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及负载开关等应用领域。其双通道集成的设计也为同步整流、半桥拓扑或独立双路开关提供了灵活的解决方案，有助于简化PCB布局并减少整体元件数量。

• 型号:DMNH6021SPDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
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