DMJ70H1D3SH3

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMJ70H1D3SH3采用了先进的平面MOSFET技术，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，通过优化的单元结构和工艺控制，确保了在高压工作条件下的稳定性和可靠性。其内部结构有效降低了栅极电荷和寄生电容，为高频开关应用提供了良好的基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在功率转换领域表现出色。高达700V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通状态下产生的功耗更小，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，提供了良好的噪声免疫能力和驱动便利性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购咨询。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-251（IPAK）通孔封装，便于在PCB上进行安装和散热处理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达4.6A，最大功耗为41W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的稳健工作能力。关键的动态参数，如在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）仅为13.9nC，以及50V Vds下的输入电容（Ciss）为351pF，这些特性共同决定了其具有较快的开关速度，能够减少开关损耗，尤其适用于需要高频率操作的场景。

基于其高耐压、适中的电流能力和优化的开关特性，DMJ70H1D3SH3非常适合于离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动、电机控制辅助电源以及各种家用电器中的功率开关部分。它能够有效担任主功率开关或钳位电路中的开关角色，在反激、正激等常见拓扑中提供可靠的性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现对于理解同类高压MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 型号:DMJ70H1D3SH3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:351 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
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