ZVNL120ASTOB

ZVNL120ASTOB是Diodes Incorporated推出的一款采用经典E-Line（TO-92兼容）通孔封装的N沟道MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关控制。其200V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕度，而180mA的连续漏极电流（Id）能力则使其非常适合中小功率的信号切换与驱动应用。

该MOSFET的一个显著功能特点是其极低的栅极驱动门槛电压（Vgs(th)），最大值仅为1.5V @ 1mA。这一特性意味着它能够与低电压逻辑电路（如3.3V或5V的MCU GPIO）直接兼容，无需复杂的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。在驱动电压为10V时，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。此外，其输入电容（Ciss）较小，有利于实现快速的开关切换，提升系统响应速度。

在电气参数方面，ZVNL120ASTOB的栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。标准TO-92兼容的封装形式使其易于在原型开发或传统通孔PCB板上进行手工或波峰焊接。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以保障元器件的正宗来源与供货稳定性。

鉴于其高压、低驱动及适中的电流处理能力，这款MOSFET非常适合应用于多种离线式或高压直流场景。典型应用包括电子继电器替代、低功率开关电源中的辅助电源切换、LED照明驱动的初级侧控制，以及工业控制设备中的高压信号隔离与切换电路。其设计平衡了性能、成本与易用性，是工程师在需要高压小电流开关解决方案时的经典选择之一。

• 型号:ZVNL120ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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