DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）通孔封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理。其700V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的电压裕量，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等存在电压尖峰或浪涌的应用中的长期可靠性。同时，该芯片在25°C壳温（Tc）条件下可支持高达7A的连续漏极电流，结合其68W的最大功率耗散能力，使其能够胜任中等功率等级的开关任务。

在电气性能方面，DMJ70H900HJ3展现出优化的导通与开关特性。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下最大值为900毫欧，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。栅极电荷（Qg）最大值仅为18.4nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为603pF @ 50V，这些参数共同决定了其快速的开关速度与较低的栅极驱动需求，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了在噪声环境下的稳定关断，并兼容常见的逻辑电平与模拟驱动。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了实际应用的便利性与鲁棒性。TO-251封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了PCB板的空间利用率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的汽车电子与工业环境。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保正品货源和获取完整技术资料的有效途径。

基于其高压、中电流、快速开关以及符合车规级可靠性的特点，DMJ70H900HJ3非常适用于一系列要求严苛的应用场景。典型应用包括汽车领域的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机预驱动器，以及工业领域的开关模式电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）和照明镇流器。在这些场景中，它能够有效承担功率开关的核心角色，助力系统实现高能效、高功率密度与高可靠性的设计目标。

• 制造商产品型号：DMJ70H900HJ3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.4nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：603pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：68W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• 现在可以订购DMJ70H900HJ3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。