DMN6013LFG-13

Diodes Incorporated推出的DMN6013LFG-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为表面贴装应用而优化，在有限的PCB空间内提供了卓越的热性能和电气性能。其内部架构经过精心设计，以平衡导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，从而在开关电源、电机控制等高频应用场景中有效降低开关损耗和导通损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至13毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为3V，且驱动电压范围宽至4.5V至10V，使其能够与多种逻辑电平的控制器（包括3.3V和5V系统）轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态性能参数上，栅极总电荷(Qg)最大值仅为55.4nC，结合2577pF的输入电容(Ciss)，意味着该器件具有快速的开关转换能力，有助于提升开关频率并进一步减小外围无源元件的尺寸。其结温(TJ)工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

综合其接口与参数，DMN6013LFG-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的现代电子系统中。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、锂电池保护电路以及各类负载开关。其优异的性能组合使其成为工程师在开发高可靠性、高功率密度电源和驱动解决方案时的理想选择。

• 型号:DMN6013LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2577 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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