DMN1004UFV-13

作为一款面向高效率功率转换应用而设计的N沟道功率MOSFET，DMN1004UFV-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和快速的开关性能。该器件基于优化的单元设计，能够在紧凑的封装内承载高达70A（Tc）的连续漏极电流，同时将漏源电压（Vdss）控制在12V，使其成为低压、大电流应用场景下的理想选择。

该芯片的功能特点突出表现在其卓越的导通电阻性能上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，最大值仅为3.8毫欧（在15A，4.5V条件下测得）。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值1V @ 250A）与适中的栅极电荷（Qg最大值47nC @ 8V）相结合，意味着它能够被标准逻辑电平轻松驱动，同时保持良好的开关速度，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，DMN1004UFV-13采用表面贴装型PowerDI3333-8（UX类）封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。输入电容（Ciss）为2385pF @ 6V，与低Qg特性协同，优化了高频开关性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

基于上述技术特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点POL转换器）、电机驱动控制以及各类电池保护和管理电路。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关特性能够显著提升整体能效，减少热设计难度，是实现高性能、高可靠性电源解决方案的关键元器件。

• 型号:DMN1004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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